台积电市值一天飙升3000亿，芯片1nm历史性突破到底该 ...

5月17日音讯 台积电今日分离台大、麻省理工宣布，在1nm以下芯片方面取得严重停顿，研讨成果已发表于Nature。

该研讨发现，应用半金属铋 Bi 作为二维资料的接触电极，能够大幅降低电阻并进步电流，完成接近量子极限的能效，有望应战1nm 以下制程的芯片。

国立交通大学电子物理系张文豪教授研讨团队在科技部长支持下，与台湾积体电路制造股份有限公司协作，协作研讨开发出全球最薄、厚度仅0.7纳米、大面积晶圆尺寸的二维半导体资料绝缘层，台积电表示，关键则在于单晶氮化硼技术的严重突破，未来可望藉由这项技术，进一步开发出2纳米以至1纳米的电晶体通道。

据引见，该发现是由麻省理工团队首先发现的，随后台积电将“易堆积制程”中止优化，而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则经过氦离子束微影系统”将元件通道胜利减少至纳米尺寸。

IT之家此前报道，IBM 在5月初首发了2nm 工艺芯片，与当前主流的7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能估量提升45%，能耗降低75%。

不外业界人士表示，由于 IBM 没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂，因而其2nm 工艺无法很快落地，“弯道超车”也比较艰难。