曝英特尔Arrow Lake-S将采用台积电3nm工艺，ARL-P依然 ...

IT之家 10 月 22 日音讯，爆料者 @OneRaichu 宣称，英特尔酷睿 Arrow Lake 系列双平台似乎将采用不同的工艺技术。

他表示，适用于桌面平台的 ARL-S 系列将采用台积电最先进的 3nm 家族工艺（分离之前情报来看大约率是 N3E），而面向移动平台的低压平台依然采用自家 Intel 20A 工艺。

Intel 20A 工艺节点可使得 CPU 每瓦性能进步 15%，并将 RibbonFET 和 PowerVia 技术引入桌面平台。

除此之外，还有其他人弥补道：英特尔此前由于某些缘由选择将 ARL-P 和 ARL-S 应用于台积电 N3 工艺，但随着台积电 N3 延期，再加上 P 系列相对 S 系列会晚一些时间发布，这使得 ARL-P 能够顺利转移到计划于 2024 上半年量产的 Intel 20A 平台。

现有情报表明，英特尔 Meteor Lake（2023 年）以及 Arow Lake 均会采用 Foveros（3D）封装技术，基于 36μm pitch 的封装工艺，分别基于 Intel 4（原 7nm）和埃米级的 20A 工艺，而 Intel 3 工艺的首发平台目前还不明晰。

IT之家了解到，英特尔 Arrow Lake 将采用与 14 代酷睿 Meteor Lake 完整相同的“小芯片”配置，P 核将从 Redwood Cove 升级到 Lion Cove，而 E 核将从 Crestmont 切换到 Skymont，中心数量可能会增加到 8+32 个。

也正得益于模块化设计，Arrow Lake 将能够保存 Meteor Lake 的准系统计划，包含 SoC 和 IO 模块，从而加快架构和流程升级进度，同时也有助于降低成本。

Arrow Lake 将采用与 Meteor Lake 相同的 LGA-1851 插槽，契合英特尔每 2 代平台采用同一套设计的准绳，再往后的 Lunar Lake 确认是 18A 工艺 + Foveros、25μm pitch 封装工艺，而 Nova Lake 尚未可知，但有不牢靠风闻称 CPU 性能提升幅度超 50%。

总结一下，Meteor Lake CPU 将采用全新的小芯片（Tile）平铺式架构，主要有 3 个 Tile： IO Tile、SOC Tile 和 Compute Tile。Compute Tile 包含 CPU Tile 和 GFX Tile。CPU Tile 将运用新的混合中心设计，以更低的功耗提供更高性能，GPU 也是全新架构，最多 192 EU。

此前的风闻是 Meteor Lake 系列小芯片的 Arc GPU 中心将采用台积电 N5 / N3 工艺，而这位爆料人的意义似乎是指 Arrow Lake-S 全部都将采用台积电 3nm 工艺，转而埋头研发下一代 20A 工艺节点。