半导体工程师 2023-03-09 09:16 发表于北京

Intel最新2nm以下制程节点新突破

据台湾省经济日报音讯，Intel高级副总裁兼中国区董事长王瑞近日对媒体表示，Intel 20A(业界的2nm制程)和Intel 18A(相当于1.8nm制程)曾经流片(流片：是指像流水线一样经过一系列工艺步骤制造芯片，该词在集成电路设计范畴，“流片”指的是“试生产”。)。这也是Intel在四年内快速延展五个制程节点的目的之一，此次流出的信息也备受外界注目。

Intel近几年关于芯片制程工艺的延展令人叹为观止，规划从Intel 10制程开端，逐步有序进入到Intel 7和Intel 4技术节点，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。目前Intel曾经量产的最新技术是Intel 7制程，Intel 18A制程则估量2024年下半年就位。也就是说，往常举例2024年的下半年九月刚好18个月的时间，Intel估量在这18个月里攻克数个技术节点，进程之快颇令市场震惊。

资料来源：网络整理(经济日报等媒体)，制表：电子工程专辑编辑

Intel 4 物理参数：密度是 Intel 7 的 2 倍

无妨来深化研讨一下今年下半年就要上场的Intel 4制程，究竟是何方崇高。不难看出，Intel曾经开端着手处置之前遗留下来的问题。首先要处置的密度问题，到了如此精密的工艺节点，不少业界人士均关于制程工艺铁律 “摩尔定律”和“登纳德缩放定律”开端起了动摇之心。

摩尔定律：集成电路能够容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍

登纳德缩放定律：随着晶体管尺寸的减少，其功率密度坚持不变，从而使芯片功率与芯片面积成正比。

追溯到Intel之前发布的数据中，Intel 4的 Fin Pitch间距降落到30nm，是Intel 7的34nm的88%，而且Contac Gate Poly Pitch 也从原来的60nm缩减到50nm，Min Metal Pitch(M0)则降低了75%之多，从40nm降到30nm;HP Library Height的高度则减少了近乎一半，从原来的408h减少到140h，仅为Intel 7 的0.59倍。因而，Intel对外宣称，Intel 4的密度是Intel 7的2倍之多，当然业界更喜欢的说法是，在取得相同的芯片性能下，Intel4能够比Intel 7做出来的芯片尺寸减少一半。

由于芯片的晶体管是二维结构，所以Intel的单个单元的计算方式是：HP Libnrary Height *Contact Gate Poly Pitch;依照如此计算方式，Intel 7制程是24408nm，Intel 4制程则是12000nm，纸面计算是Intel 7的49%。当然芯片内部各种电路结构有很多，不是每种结构都能用上述公式计算，所以Intel 4 的制程节点据官方称，相同单元的大小为Intel 7的77%。

决战2025，Intel放狠话，将重回领导位置

我们再把视野放到更远的 Intel 3、20A和18A制程节点，固然官方还未透显露细致的性能参数，但是最新的音讯是，Intel 3制程的进度也如预期良好，一扫之前市场传出的Intel 3制程节点技术开发呈现延迟的谣言。

关于Intel Granite Rapids及Sierra Forest系列处置器，计划都将采用自家的Intel 3制程生产，并且先前的音讯也支出，Intel 3制程能够进一步发挥 FinFET的优势和EUV的运用率。关于芯片密度、面积和功耗等等性能参数都会有大幅度的提升。

依据Intel高级副总裁暨中国区董事长王锐表示，全球需求晶圆代工的大客户中，十家有七家都在与Intel积极磋商协作业务，晶圆代工(IFS)也与43家潜在客户进行协作和晶圆流片生产。目前从Intel的动作来看，积极扩展产能和提升制程工艺节点技术，借助着美国芯片法案的辅助，Intel有自信在2025年，重回芯片制造领导位置。

来源于电子工程专辑，作者我的果果超心爱

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